[发明专利]用于MEMS器件的空腔加工工艺、体声波谐振器及其制造工艺有效
| 申请号： | 202010404255.X | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111697942B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 郭海峰;盛荆浩;江舟 | 申请（专利权）人： | 见闻录（浙江）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H3/007;B81C1/00 |
| 代理公司： | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 | 代理人： | 陈远洋 |
| 地址： | 313000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种用于MEMS器件的空腔加工工艺，包括以下步骤：在衬底上沉积一层掩膜层；利用光刻蚀刻工艺将衬底上将要形成空腔的区域上的掩膜层蚀刻掉；借助APCVD热氧化工艺在将要形成空腔的区域进行蚀刻同时生长形成氧化物；利用湿法工艺将掩膜层去除；在衬底上制作覆盖氧化物的器件功能层后，将氧化物释放。还公开了一种体声波谐振器的制造工艺，采用上述空腔加工工艺在衬底中制造空腔，其中器件功能层为电极层和压电层。同时又公开了一种体声波谐振器，其采用上述工艺制造而成。利用上述工艺可以改善衬底表面粗糙度，并大幅提高产能，适于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mems 器件 空腔 加工 工艺 声波 谐振器 及其 制造 | ||
【主权项】：
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