[发明专利]集成亚波长金属光栅硅基阻挡杂质带探测器及制备方法有效
| 申请号： | 202010404348.2 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111653636B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陈雨璐;童武林;王兵兵;王晓东;刘文辉;陈栋 | 申请（专利权）人： | 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/103;H01L31/18;G02B5/00 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 200063 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成亚波长金属光栅硅基阻挡杂质带探测器及制备方法，包括：负电极部件、衬底部件、吸收层部件、阻挡层部件、金属光栅部件以及正电极部件；所述正电极部件设置于阻挡层部件上方；所述吸收层部件设置于正电极部件下方；所述负电极部件设置于衬底部件下侧；所述金属光栅部件设置于阻挡层部件上方；所述正电极部件包括：正电极接触区构件；所述正电极接触区构件设置于正电极部件的下部。本发明基于亚波长金属光栅的等离激元共振效应，利用金属等离激元的近场局域特性，当降低吸收层的厚度时，保持器件吸收层的有效吸收效率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 波长 金属 光栅 阻挡 杂质 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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