[发明专利]LDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010404899.9 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111540785A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件及其制造方法，涉及半导体制造领域。该LDMOS器件包括衬底、体区和漂移区、绝缘介质层、栅极结构、多晶硅场板、介质隔离层和金属层；体区内设置有第一类重掺杂区和第二类重掺杂区，体区的顶部和绝缘介质层的底部在同一水平面；漂移区内设置有第二类重掺杂区；绝缘介质层位于漂移区的上方且被漂移区包围，绝缘介质层包括台阶结构；多晶硅场板位于绝缘介质层的台阶结构上方；多晶硅栅延伸至多晶硅场板的上方；解决了目前LDMOS器件在实现大电流传输时占用芯片面积大的问题，达到了在减小器件尺寸时不降低器件的击穿电压，同时提高器件的线性电流，降低器件的导通电阻的效果。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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