[发明专利]核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010405321.5 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111415996A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 邵鹏飞;郭慧;陈敦军;谢自力 | 申请（专利权）人： | 南京南大光电工程研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L21/337 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法。该方法首先利用MBE/MOCVD技术在蓝宝石衬底生长第二重掺n‑GaN层，作为后续的漏端欧姆接触层，再继续外延核壳式纳米柱状p‑n结，内层n‑GaN为沟道层，最后再外延一层重掺的n‑GaN作为源端欧姆接触层。器件结构生长完后再利用刻蚀和电极蒸发工艺形成源漏极和栅极，得到GaN‑JFET器件；核壳式p‑n结结构因沟道被环形包夹，其内部电场分布更均匀，栅对沟道具有更强的控制能力。 | ||
| 搜索关键词： | 核壳式 结构 gan 场效应 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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