[发明专利]一种高导电高强铜铬镁合金及其制备方法在审
| 申请号： | 202010406863.4 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111378867A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李云平;杨标标 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C1/04;C22F1/08;H01B1/02 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 刘向丹 |
| 地址： | 410083 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高导电高强铜铬镁合金及其制备方法，合金中Cr含量为0.05‑10wt.％，Mg含量为0.10‑0.50wt.％，余量为Cu及不可避免的杂质，该合金由雾化法制备的合金粉末经烧结、冷加工和时效处理制备而成。采用本发明所述方法制备高导电高强铜铬镁合金能解决高强高导电铜铬镁合金中Cr析出相分布不均匀的问题，可实现铜基体内Cr析出相的纳米级的均匀分布。与传统铸造‑冷变形工艺以及不含Mg的粉末冶金‑冷变形工艺相比，在维持高导电率基本不变的前提下，本发明的铜铬镁合金抗拉强度明显提升，提升量高达50％，高温服役性能也得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 高强 镁合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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