[发明专利]晶圆刻号及其形成方法有效
| 申请号： | 202010407261.0 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111430333B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 叶莹;毕迪 | 申请（专利权）人： | 上海果纳半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶圆刻号及其形成方法，将晶圆刻号形成在晶圆的侧面而不是晶圆的正面表面，后续在晶圆正面表面上进行相关半导体工艺形成半导体器件以及多层金属连线时，或者后续将形成有集成电路的晶圆用于3D IC堆叠工艺时，所述晶圆侧面形成的晶圆刻号不会被覆盖，有利于晶圆在各个不同制程或者3D IC堆叠制程的管理和信息的追踪，特别是当晶圆存在异常需要工艺人员进行处理时，通过读取或识别经验侧面上的刻号可以直接获得晶圆的信息，防止对产品批次错误判断的风险，从而导致低良率甚至报废。并且由于所述晶圆刻号包括若干交替排布的凹槽和凸起，这样的晶圆刻号易于形成在晶圆的侧面，并且读取或识别过程比较简便。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆刻号 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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