[发明专利]三维存储器的形成方法有效
| 申请号： | 202010407263.X | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111415942B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 黄波;薛磊;薛家倩;高庭庭;耿万波;刘小欣 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供的三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有牺牲层、以及位于所述牺牲层表面的堆叠层，沟道孔贯穿所述堆叠层和所述牺牲层并延伸至所述衬底内，所述沟道孔内填充有电荷存储层和沟道层，所述堆叠层中还具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠层并暴露所述牺牲层的沟槽；形成保护层于所述沟槽的侧壁表面，所述保护层相对于所述电荷存储层和所述牺牲层均具有刻蚀选择性；沿所述沟槽的底部选择性去除所述牺牲层和部分的所述电荷存储层；形成覆盖所述衬底表面和所述沟道层侧面的外延层。本发明在选择性去除牺牲层和电荷存储层的过程中，不会对堆叠层造成损伤，改善了三维存储器的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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