[发明专利]一种可模拟神经突触的聚合物/量子点薄膜忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010407534.1 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111477740B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 李岚;许江华;徐建萍;石少波;杨鹏城;刘丁;王斌 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 天津合正知识产权代理有限公司 12229 | 代理人： | 马云云 |
| 地址： | 300302 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可模拟神经突触的聚合物/量子点薄膜忆阻器，所述忆阻器包括从下至上依次设置的导电基底(1)、聚合物薄膜层(2)、碳基量子点层(3)、半导体量子点层(4)以及顶电极(5)。本发明所述的忆阻器结构在电场循环扫描下阻态持续变化，可以实现对神经突触的学习与记忆功能的模拟如长时程增强效应(LTP)和长时程抑制效应(LTD)。本发明所制备的阻变层均为溶液旋涂所得，可在柔性衬底上制备，应用可穿戴电子产品领域。器件具有尺寸小、结构简单、可集成芯片、功耗低的优点，可模仿人脑神经突触处理和学习工作行为，应用于新型微电子仿生单元，提高计算机的速度和并行处理能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模拟 神经 突触 聚合物 量子 薄膜 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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