[发明专利]单晶硅表面处理用的制绒添加剂、制绒剂以及单晶硅表面制绒的方法在审
申请号: | 202010407647.1 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111485290A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 李然;范云堂;程寒松;闫缓 | 申请(专利权)人: | 杭州聚力氢能科技有限公司 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C30B29/06;H01L31/0236;H01L31/0747;H01L31/20 |
代理公司: | 浙江杭知桥律师事务所 33256 | 代理人: | 刘韵遥 |
地址: | 311305 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及单晶硅片制绒剂技术领域,公开了单晶硅表面处理用的制绒添加剂,按照重量百分比计包括:木质素磺酸钠0.01‑1.0%,聚萘甲醛磺酸钠0.0001‑0.01%,聚乙二醇0.2‑4%,二乙二醇丁醚1.5‑5%,全氟己基磺酸钾1.5‑2.5%,二乙基辛酸钠0.1‑5%,水82‑96%。还公开了单晶硅表面处理用的制绒剂,将上述制绒添加剂加入到1%‑2%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液中,在20‑80℃的温度下混合均匀,其中制绒添加剂与碱溶液的质量比为(1‑5):100。还公开了单晶硅表面制绒的方法:将单晶硅片预先处理;将预处理后的单晶硅片浸入制绒剂中进行制绒,制绒温度为70‑90℃,制绒时间为300‑1200s。使用本发明的制绒添加剂和制绒剂处理后的单晶硅表面达到良好的制绒效果,绒面大小可控,出绒率高,反射率低,片面洁净,制绒剂使用寿命长。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅 表面 处理 添加剂 制绒剂 以及 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州聚力氢能科技有限公司,未经杭州聚力氢能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010407647.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。