[发明专利]用于表面离子阱的低温射频谐振器在审
申请号: | 202010407779.4 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111953316A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 亚当·里德;本杰明·斯波恩;扎卡里·普赖斯 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | H03H9/24 | 分类号: | H03H9/24;H03H9/02;H03H9/125 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蒋骏;陈岚 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明题为“用于表面离子阱的低温射频谐振器”。本主题通过提供低温射频(RF)谐振器来为低温离子阱所面临的技术问题提供技术解决方案,该低温RF谐振器为紧凑、单片且模块化的并且与低温离子阱阻抗匹配。本文所述的低温RF谐振器是高功效的,与RF源适当地阻抗匹配,具有稳定增益轮廓,并且与低温和超高真空环境兼容。在一些示例中,增益轮廓被选择为使得低温RF谐振器充当低温RF放大器。该低温RF谐振器通过减少或最小化热负荷以及减少或最小化可能错误地驱动捕获的离子的不期望的噪声来改善离子阱的性能。本主题的这些特征改善了原子钟和质谱仪的性能,并且尤其改善了捕获的离子的量子计算机的性能。 | ||
搜索关键词: | 用于 表面 离子 低温 射频 谐振器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司,未经霍尼韦尔国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010407779.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机金属化合物以及包括其的有机发光器件
- 下一篇:用于旋转电机的控制装置