[发明专利]一种半导体器件模型的建模方法及装置在审
申请号: | 202010410498.4 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN111680465A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 卜建辉;王成成;李垌帅;刘海南;曾传滨;韩郑生;罗家俊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F30/3308 | 分类号: | G06F30/3308 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件模型的建模方法及装置,方法包括:根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间;针对不同的温度区间,提取出对应的器件模型参数,根据所述模型参数建立对应的子器件模型;合并所述子器件模型,获得当前半导体器件模型;当需要再次对所述集成电路器件进行仿真时,接收温度区间的当前标识值,根据所述当前标识值在所述当前半导体器件模型中确定出对应的子器件模型;利用所述对应的子器件模型对所述集成电路器件进行仿真;如此,因不同的温度区间对应的有不同的子器件模型,这样在对集成电路器件进行仿真时,无论温度是在什么范围内,都有合适的子器件模型对集成电路器件进行仿真,确保仿真精度,满足仿真要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 模型 建模 方法 装置 | ||
【主权项】:
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