[发明专利]一种多晶圆划片方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202010412145.8 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111710646B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 肖莉红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶圆划片方法及半导体结构，该方法包括以下步骤：第一键合步骤：提供一载体及第一晶圆，将二者键合，减薄第一晶圆的背面，在第一晶圆的背面引出焊盘，形成第一切割道于第一晶圆中；第二键合步骤：提供正面设有焊盘的第二晶圆，将第二晶圆的正面与第一晶圆的背面键合，减薄第二晶圆的背面，在第二晶圆的背面引出焊盘，形成第二切割道于第二晶圆中；裂片步骤：沿切割道将载体裂开，得到多个分开的芯片。本发明能够实现多片层叠硅片晶圆级的切割与划片，其中，对每一层键合的晶圆进行独立切割，能够降低崩边、裂片、污染或多晶改变的风险，提高生产效率与封装产品的良率，并能够收缩切割道面积，提高晶圆利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 划片 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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