[发明专利]一种三维钝体表面原子层沉积方法

摘要

本发明涉及原子沉积领域，特别是涉及一种三维钝体表面原子层沉积方法。本发明提供一种三维钝体表面原子层沉积方法，所述方法包括：将含有反应源的流体引入反应腔体，在待处理器件表面内进行原子沉积反应，反应腔体中反应气体的宗量参数Z满足如下条件：8.5≤Z＝(TV/PФ)≤1359.5。本发明通过对原子层沉积反应腔体所涉及的宗量参数、气体发展距离、瑞利数等条件的控制，通过控制宗量Z的调整，可以维持反应腔体内的整体层流条件，从而保证了三维钝体表面原子尺度薄膜沉积时反应区内整体层流条件的建立、反应物分子的迅速有效输运以及反应副产物的迅速排出。