[发明专利]一种硼氧化钼纳米多孔薄膜电催化剂及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202010413862.2 申请日: 2020-05-15
公开(公告)号: CN111514881A 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 范修军;刘辉;李思殿 申请(专利权)人: 山西大学
主分类号: B01J23/28 分类号: B01J23/28;B01J35/00;B01J35/10;B01J37/08;B01J37/34;C01B35/04;C01G39/02;C25B1/02;C25B11/03;C25B11/06
代理公司: 山西五维专利事务所(有限公司) 14105 代理人: 何翠霞
地址: 030006 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及一种硼氧化钼纳米多孔薄膜电催化剂及其制备方法和应用。首先对表面干净的钼箔进行阳极氧化处理,得到多孔阳极氧化钼纳米薄膜,然后以多孔阳极氧化钼纳米薄膜为模板和钼源,利用硼氧混化物粉末为固体硼源,在氢气/氩气气氛下,采用一步化学气相沉积的方法制备出对电化学析氢具有高电催化活性的硼氧化钼的纳米多孔薄膜催化剂。本发明制备过程简易温和,制备出了疏松多孔的纳米薄膜,硼氧化钼异质结构使得氧化钼中电子向硼化钼转移,优化了硼化钼的局域电子结构,改善了其对氢的吸附能,增加了电催化析氢性能。该薄膜材料疏松多孔、富含缺陷,可以增加电催化活性位点,加快电化学反应,具有优异的电化学析氢性能和电催化稳定性。
搜索关键词: 一种 氧化钼 纳米 多孔 薄膜 催化剂 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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