[发明专利]二维材料基选通器、存储器单元、阵列及其操作方法在审
| 申请号： | 202010416854.3 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111554809A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 林淮;邢国忠;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种二维材料基选通器、存储器单元、阵列及其操作方法，该选通器包括：叠层单元。叠层单元为金属‑二维半导体‑金属结构，包括二维半导体层，以及分别设置于二维半导体层上、下表面的金属层。其中，叠层单元的个数为N，N≥1，每个叠层单元中，两个金属‑二维半导体的界面均形成肖特基接触，并且在二维材料基选通器通电导通时，该叠层单元包括两个反向串联的肖特基二极管结构。或者，叠层单元的个数为M个，M≥2，每个叠层单元中，两个金属‑二维半导体的界面中的一个界面形成肖特基接触，另一个界面形成欧姆接触，并且在二维材料基选通器通电导通时，M个叠层单元包括M个反向并联的肖特基二极管结构。选通器具有优异的开关性能。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 材料 基选通器 存储器 单元 阵列 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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