[发明专利]自旋转移矩磁阻随机存取存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010417000.7 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN112103387A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | A.J.安农齐亚塔;B.B.多里斯;E.J.奥苏里范 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)装置。STT‑MRAM装置包括基板，电介质层和磁性隧道结(MTJ)堆叠体。基板包括导体和着陆垫。MTJ堆叠体包括参考层元件、自由层组件和阻挡层元件。参考层元件衬有再沉积的金属，且设置在电介质层内的着陆垫上。自由层组件包括自由层元件、设置在自由层元件上的硬掩模层元件、衬在自由层和硬掩模层元件的侧壁上的再沉积的金属、以及衬在再沉积的金属上的介电材料。阻挡层元件插设在参考层元件和自由层组件之间并且具有与参考层元件和自由层组件相同的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 转移 磁阻 随机存取存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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