[发明专利]一种基于MoS2在审

专利信息
申请号: 202010417335.9 申请日: 2020-05-18
公开(公告)号: CN111564518A 公开(公告)日: 2020-08-21
发明(设计)人: 彭皓 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L31/109 分类号: H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 霍淑利
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种基于MoS2/GaSe异质结的光电类突触器件,属于微电子器件及制备技术领域。本发明的一种基于MoS2/GaSe异质结的光电类突触器件,通过使用二维材料MoS2/GaSe,利用其优秀的光电响应特性,使得器件的光响应速度得到提升,响应速度达到33ms;当输入条件一致时,输出保持稳定;另外,通过使用光信号作为输入,使得本发明避免了电信号间之间的信号串扰;并且,可见光范围内波段的激光作为输入时,器件均能正常工作,因此,提升了器件的工作带宽;此外,本发明的制备工艺与传统工艺相同或兼容,生产成本低,适用于大规模推广。
搜索关键词: 一种 基于 mos base sub
【主权项】:
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