[发明专利]一种原子层沉积法制备铂/二氧化钛纳米管复合电极的方法在审
| 申请号： | 202010417439.X | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111411386A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李洪义;吴安冉;孙硕;王金淑;王心心;周文元;祖冠男;陈言慧;李丹丹;何佳伟 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C23C16/455;C23C16/18;C25B11/08;C25B1/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种原子层沉积法制备铂/二氧化钛纳米管复合电极的方法，属于复合电极技术领域。该方法首先采用阳极氧化的方法在钛片表面制备出形状规则且均匀垂直排列的二氧化钛纳米管阵列，随后采用原子层沉积法将铂沉积到二氧化钛纳米管载体上，制备成铂/二氧化钛复合电极。通过原子层沉积这种方法得到的催化剂为单原子铂，显著降低了金属铂的用量，降低了成本，而且催化剂的性能也得到了很大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原子 沉积 法制 氧化 纳米 复合 电极 方法 | ||
【主权项】：
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