[发明专利]一种非晶InGaN/Si异质结太阳电池的装置及其制备方法有效
| 申请号： | 202010417645.0 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111636051B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 王婷;沈晓明;符跃春;何欢;莫观孔;邹卓良;黄山峰;韦泽麒 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/16;H01L31/074;H01L31/20 |
| 代理公司： | 南宁市吉昌知识产权代理事务所(普通合伙) 45125 | 代理人： | 林鹏 |
| 地址： | 530004 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非晶InGaN/Si异质结太阳电池的装置及其制备方法，该装置中的脉冲激光器发出的高能激光束被分光镜分为两束，分别经过两个聚焦透镜从窗口进入沉积室照射到In/GaN双靶材上，靶材表面被照射区域瞬间被烧蚀产生等离子体羽辉，通过微区爆炸的方式被输运到p‑Si衬底上沉积形成非晶InGaN薄膜，在非晶InGaN薄膜表面溅射Au金属欧姆电极，在p‑Si衬底背面溅射In‑Ga合金欧姆电极，即完成非晶InGaN/Si异质结太阳电池的制备。本发明装置操作简便、调节灵活，制备方法无需缓冲层，简单易行，薄膜生长温度低，简化工艺且降低了生产成本，并且制备的非晶InGaN/Si异质结太阳电池具有较好的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingan si 异质结 太阳电池 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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