[发明专利]一种硅异质结太阳电池组件的制作方法在审
| 申请号： | 202010417758.0 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111710747A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 韩安军;刘正新;孟凡英;张丽平;石建华;杜俊霖;陈红元;李金萍;周华;谢毅 | 申请（专利权）人： | 中威新能源（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074;H01L31/18;H01L31/048;H01L31/05 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 丁存伟 |
| 地址： | 610000 四川省成都市双流区中国(*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅异质结太阳电池组件的制作方法，解决了因焊接和层压高温对太阳电池钝化效果和转换效率带来的劣化问题，属于太阳电池技术领域，制作步骤为：(1)制备硅异质结太阳能电池；(2)将硅异质结太阳电池进行串并联形成硅异质结太阳电池串；(3)铺设组件封装材料形成堆叠物；(4)将堆叠物放入层压机中，采用LED光源作为加热源进行层压制备组件，层压完成后得到硅异质结太阳电池组件；本发明通过采用LED光源作为层压加热源，在对组件进行层压的过程中同时完成对硅异质结电池片的高温下光注入处理，显著改善非晶硅对异质结太阳电池的钝化效果，提升太阳电池的转换效率，增加太阳电池组件的输出功率，同时加热快，效率高，能耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅异质结 太阳电池 组件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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