[发明专利]一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺在审

专利信息
申请号: 202010418310.0 申请日: 2020-05-18
公开(公告)号: CN111477555A 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 袁凤江;雒继军;张国光;林品旺;江超;王光明;陈逸晞 申请(专利权)人: 佛山市蓝箭电子股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/48;H01L23/31;H01L23/498
代理公司: 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 代理人: 梁永健;单蕴倩
地址: 528000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺,其中步骤依次包括:A.放置芯片:将待加工芯片本身安放于装片基座,从而得到第一待封装体,B.设置搭桥件:搭桥件的凸点式焊头与芯片本身的上表面的源极区域贴合,C.焊接芯片:芯片本身与装片基座形成电气连接,芯片本身的源极区通过搭桥件与第一引脚连接,从而使得源极S与第一引脚形成电气连接,芯片本身的栅极G通过引线与第三引脚20连接,从而使得栅极G与第三引脚形成电气连接,D.封装成品:注塑机将芯片本身、装片基座、引脚及搭桥件用塑封料进行注塑包封形成封装保护,有益效果是:实现了高功率器件的生产效率快、接触面大、热阻Rdson数值小、改善气泡空洞及产品质量的稳定性。
搜索关键词: 一种 凸点式 搭桥 功率 器件 封装 工艺
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