[发明专利]IGBT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010418476.2 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113690293A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 方冬;肖魁;卞铮;胡金节 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：漂移区；形成于漂移区内的体区；形成于体区内的第一掺杂区和第二掺杂区；沟槽，依次穿透第一掺杂区和体区并延伸至漂移区内；填充结构，包括形成于沟槽内壁上的氧化层和填充于沟槽内且相互隔离的第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构底部深度大于第二导电结构底部深度；扩展区，形成于沟槽下方的漂移区内并包围沟槽的底部；发射极引出结构，与第一掺杂区、第二掺杂区接触；以及栅极引出结构，与第二导电结构接触，其中，漂移区、第一掺杂区具有第一导电类型，体区、第二掺杂区、扩展区具有第二导电类型。通过形成包围沟槽底部的扩展区，可以提高IGBT器件的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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