[发明专利]沟槽栅VDMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010418487.0 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113690299A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 方冬;肖魁 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种沟槽栅VDMOS器件及其制备方法，其中，器件包括：漂移区、形成于漂移区内的体区、形成于体区上的源区，漂移区和源区具有第一导电类型，体区具有第二导电类型；源区开设有底部延伸至漂移区的第一沟槽和第二沟槽，各沟槽内壁形成有栅氧层；第一多晶硅体形成于第一沟槽内和第二沟槽内且相互电连接，第二多晶硅体形成于第一沟槽内并与第一多晶硅体隔离，在第一沟槽内，第一多晶硅体的深度大于第二多晶硅体的深度；源极引出结构与源区以及第一多晶硅体连接；栅极引出结构与第二多晶硅体连接。上述VDMOS器件，在元胞区开设多个沟槽以在漂移区内部形成多个内场板，增强漂移区的耗尽，提高器件耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 vdmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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