[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010418489.X | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113690301A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 方冬;肖魁;卞铮;胡金节 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：在漂移区内形成体区并在体区内形成第一掺杂区和第二掺杂区；第一沟槽穿透第一掺杂区、体区并延伸至漂移区内，扩展区与漂移区导电类型相反且包围第一沟槽的底壁，第一沟槽内填充有形成于沟槽侧壁上的介质层和位于沟槽底部的第一导电结构和位于沟槽顶部的第二导电结构；第二沟槽穿透体区并延伸至漂移区内，第二沟槽内填充有第三导电结构以及位于沟槽内壁上的介质层。第二导电结构与栅极电连接，第一掺杂区、第二掺杂区和第三导电结构与第一电极电连接。通过第一沟槽栅、扩展区和沟槽调节区的共同作用，可增强漂移区的耗尽，提高器件耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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