[发明专利]用于感测相变随机存取存储器单元的电阻状态的方法在审
| 申请号： | 202010419106.0 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113257308A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 各种实施例提供一种混合感测方案，混合感测方案可补偿半导体器件中的单元电阻不稳定性，半导体器件如多层级单元(MLC)型相变随机存取存储器(PCRAM)结构。各种实施例可实现支持相变随机存取存储器单元中的多层级单元应用的稳定电阻状态。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 随机存取存储器 单元 电阻 状态 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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