[发明专利]半导体工艺设备的上电极机构及半导体工艺设备有效

专利信息
申请号: 202010419642.0 申请日: 2020-05-18
公开(公告)号: CN111613503B 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 卫晶;韦刚;杨京;牛晨;茅兴飞 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01J37/04 分类号: H01J37/04;H01J37/305;H01J37/32
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 朱文杰
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例公开了一种半导体工艺设备的上电极机构及半导体工艺设备,所述上电级机构包括:射频线圈、电流传感器、电流调整装置,其中,所述射频线圈包括至少两条并联的支路;每条所述支路上均设置有一所述电流传感器,用于检测该支路的支路电流;所述电流调整装置设置在所述射频线圈上,用于调整每个所述支路的支路电流,以使各所述支路的支路电流均相等。这样,通过电流调整装置,可以使射频线圈中每个支路的支路电流相等,实现刻蚀的均匀性。
搜索关键词: 半导体 工艺设备 电极 机构
【主权项】:
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