[发明专利]具有掩埋式栅结构的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010420316.1 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN112599411A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 金东洙;权世汉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供一种具有掩埋式栅结构的半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底中形成沟槽，在沟槽的表面上形成栅电介质层，在栅电介质层上方形成部分地填充沟槽的下栅极，在下栅极上方形成低功函数层，在低功函数层上方形成间隔物，刻蚀低功函数层以与间隔物自对准，以便在下栅极的两个上边缘上形成垂直栅极，以及在垂直栅极的内侧壁之间的下栅极上方形成上栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
