[发明专利]一种二维材料超晶格器件及制作方法在审
| 申请号： | 202010422651.5 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111653613A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;姜文峰;李泠;耿玓;王嘉玮;李蒙蒙;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/267;H01L21/334 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种二维材料超晶格器件及制作方法，该方法包括：形成绝缘层衬底；在所述绝缘层衬底上开设阵列槽；形成二维材料异质结，所述二维材料异质结包括由下至上的第一二维材料层、第二二维材料层以及第三二维材料层；将所述二维材料异质结转移至所述绝缘层衬底的所述阵列槽上，阵列槽产生的电势能够影响二维材料异质结的能带特性，而且，将器件的阵列槽与二维材料异质结的制作分开进行，避免在衬底上直接制作二维材料异质结产生的杂质，进而保障电子迁移率，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 材料 晶格 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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