[发明专利]Ag-Pi/BiVO4

摘要

本发明属于纳米材料合成技术领域，涉及一种Ag‑Pi/BiVO4异质结合成方法，首先采用电沉积法在FTO基片上生长一层BiOI纳米颗粒，再将乙酰丙酮氧钒与二甲亚砜的混合液滴在FTO表面，高温煅烧后生成钒酸铋（BiVO4），通过连续离子吸附反应，将FTO依次在AgNO3、去离子水、Na2HPO4和去离子水浸泡，最后用去离子水冲洗得到Ag‑Pi/BiVO4异质结。本发明还将所制得的质结，作为光电极应用于光电化学水解反应。本发明在钒酸铋（BiVO4）的蠕虫状纳米结构上负载助催化剂磷酸银（Ag‑Pi），以此提高光电极光响应范围、电荷注入效率和电荷分离效率，从而提高光电极对太阳光的利用率。具有良好的化学稳定性，光电化学性能好的优点；本发明合成工艺简单，重复性好，所用材料价廉易得，符合环境友好要求。