[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202010424968.2 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN112086357A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 李昆穆;丁姮彣;李彦儒;宋学昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的形成方法，包括在基板上方形成半导体鳍片，蚀刻半导体鳍片以形成凹陷，其中凹陷延伸到基板中，以及在凹陷中形成源极/漏极区，其中形成源极/漏极区的步骤包括在凹陷的侧壁上外延成长第一半导体材料，其中第一半导体材料包括硅锗，其中第一半导体材料具有第一锗浓度，在第一半导体材料上方外延成长第二半导体材料，第二半导体材料包括硅锗，其中第二半导体材料具有大于第一锗浓度的第二锗浓度，以及在第二半导体材料上方形成第三半导体材料，第三半导体材料包括硅锗，其中第三半导体材料具有小于第二锗浓度的第三锗浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
