[发明专利]一种MEMS微加工传感器阵列微结构体的方法在审

专利信息
申请号: 202010426653.1 申请日: 2020-05-19
公开(公告)号: CN111578879A 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 谷俊涛;曲家兴;吴琼;方舟;许言;杜宇芳 申请(专利权)人: 黑龙江省网络空间研究中心;黑龙江省国防科学技术研究院(黑龙江省网络安全和信息化技术中心)
主分类号: G01B21/02 分类号: G01B21/02;C23C14/16
代理公司: 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 代理人: 高媛
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明公开了一种MEMS微加工传感器阵列微结构体的方法,包括MEMS微加工传感器阵列微结构体的方法包括以下几个步骤:步骤一:选择合适的板状材料作为基底材料;步骤二:对基底材料进行镀膜处理;步骤三:选择合适的薄膜材料,并在薄膜材料上绘制待加工微结构的图形;步骤四:将步骤三中的薄膜材料覆盖在基底材料的最上方,并固定薄膜材料。该MEMS微加工传感器阵列微结构体的方法,能保证基块结构制作的准确性,不会发生位置的移动,从而较小使用过程中造成的误差,且基块结构底部与基板的接触面积较大,因此不会造成基块结构的脱落,并且能保证底板与待检测物体之间连接的牢靠性,不会造成底板以及整个阵列微结构体的掉落。
搜索关键词: 一种 mems 加工 传感器 阵列 微结构 方法
【主权项】:
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