[发明专利]一种双面扇出封装方法及双面扇出封装结构在审
| 申请号： | 202010428904.X | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111696870A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;匡自亮;崔成强 | 申请（专利权）人： | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498;H01L23/488;H01L23/485;H01L23/14;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州鼎贤知识产权代理有限公司 44502 | 代理人： | 刘莉梅 |
| 地址： | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种双面扇出封装方法，包括以下步骤：S10、提供复合基板，在复合基板沿其厚度方向开设通孔和安装槽；S20、提供纳米金属膏，将纳米金属膏填充于通孔中并进行烧结处理；S30、提供芯片，将芯片正面朝上通过胶粘层贴于安装槽中；S40、分别在复合基板的双面制作电连接结构，以将芯片的I/O口通过烧结后的纳米金属膏电性引出；其中，复合基板由石墨烯、金属粉末和粘接剂混合热压后制得。本发明的双面扇出封装方法可以制得散热效果良好的双面扇出封装结构，并能简化工艺、降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司，未经广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010428904.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
