[发明专利]形成三维集成布线结构的方法及其半导体结构有效
| 申请号： | 202010428940.6 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111446207B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 朱继锋;陈俊;胡思平;吕震宇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开披露了用于形成3D集成布线结构的方法和结构的实施例。该方法可以包括在第一衬底中形成电介质层；在第一衬底的正面上形成具有第一导电接触的半导体结构；以及在第一衬底的背面形成第二导电接触，其中第二导电接触延伸穿过所述电介质层的背面并连接到所述第一导电接触的第二端。3D集成布线结构可包括具有正面和背面的第一衬底；第一衬底中的电介质层；半导体结构，位于第一衬底的正面上，具有第一导电接触；以及在第一衬底的背面上的第二导电接触，第二导电接触延伸穿过电介质层的背面并连接到第一导电接触的第二端。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 三维 集成 布线 结构 方法 及其 半导体 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
