[发明专利]一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法有效
申请号: | 202010429586.9 | 申请日: | 2020-05-20 |
公开(公告)号: | CN111710644B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 俞文心;程鑫;李镰江;江宁;何刚;刘畅 | 申请(专利权)人: | 西南科技大学 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 成都帝鹏知识产权代理事务所(普通合伙) 51265 | 代理人: | 黎照西 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法,包括步骤:第一步,对电路进行混合三维布局,获得粗略分层结果,同时产生硅通孔;第二步,根据混合三维布局的结果进行混合二维布局,获得精确布局结果;第三步,根据获得的精确布局结果,对宏单元进行合法化,减小宏单元与其他单元的重叠,然后固定宏单元;第四步,对标准单元进行三维布局;第五步,对标准单元进行二维布局;第六步,完成三维集成电路的详细布局,获得最终优化布局结果。本发明在芯片物理设计中,采用更好的布局算法,得到一个硅通孔数量更少,提高芯片性能,同时也会提高芯片制作效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 硅通孔 三维集成电路 布局 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造