[发明专利]热敏MEMS阵列器件热学参数测试方法及测试电路有效
| 申请号： | 202010429792.X | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111649831B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 侯影;傅剑宇;刘超;周琼;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡物联网创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20;G01J5/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅;屠志力 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提出一种热敏MEMS阵列器件热学参数测试方法和测试电路，包括：在真空环境中，以逐行或逐列方式给所选通的整行或者整列热敏MEMS像素同时施加瞬态脉冲恒定自热功率，测试并存储各像素的瞬态响应信号电压ΔV |
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| 搜索关键词： | 热敏 mems 阵列 器件 热学 参数 测试 方法 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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