[发明专利]沟槽隔离结构的形成方法及沟槽隔离结构有效
| 申请号： | 202010430508.0 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111584419B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈笋弘;李建财 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽隔离结构的形成方法及沟槽隔离结构。所述形成方法针对基片上较窄的一类沟槽和较宽的二类沟槽，先在预处理基片上形成填孔能力较弱的第一填充层，第一填充层悬空沉积在一类沟槽的开口处，且覆盖二类沟槽的内表面，之后进行第一平坦化工艺将高于预处理基片上表面的第一填充层去除，并去除残留于一类沟槽开口处的第一填充层，在二类沟槽内剩余的第一填充层抬高了二类沟槽的底面，在形成第二填充层时，使第二填充层位于二类沟槽位置的上表面更高，在执行第二平坦化工艺时，二类沟槽区域的研磨量较一类沟槽区域大，从而在完成第二平坦化工艺后，在二类沟槽区域发生凹陷(dishing)问题的风险较低。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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