[发明专利]一种改善欧姆接触的方法有效
| 申请号： | 202010431428.7 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111584655B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 缪中林;孟祥建;陈效双 | 申请（专利权）人： | 魔童智能科技（扬州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/113;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 罗超 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州市邗江区经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体技术领域内的一种改善欧姆接触的方法，包括高温电激励处理步骤，具体如下：将二维半导体晶体管器件温度升高至410‑450K并保持，同时对所述二维半导体晶体管器件中的二维半导体两端电极持续施加电压，随后停止施加电压并将所述二维半导体晶体管器件温度降低至室温。本方法通过在410‑450K温度下对二维半导体持续施加电压的方式改进二维半导体欧姆接触，提高了二维半导体晶体管器件整体性能，同时本方法属于器件制备的后端工艺，具有操作简单、耗时短、可靠性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 欧姆 接触 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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