[发明专利]半导体激光器、巴条及制作方法有效
| 申请号： | 202010431954.3 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111641102B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 胡海;谢曳华;邱于珍 | 申请（专利权）人： | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 袁江龙 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区西丽*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体激光器、巴条及制作方法，其中，半导体激光器，包括：衬底；外延结构，覆盖于所述衬底的上表面；第一绝缘层，覆盖于所述外延结构的上表面，并在厚度方向开设有贯穿的电流注入窗口；第一电极，覆盖于所述第一绝缘层的上表面以及所述外延结构通过所述电流注入窗口外露的部分的上表面；第二绝缘层，在对应所述电流注入窗口位置处覆盖于所述第一电极的上表面，在所述第一绝缘层上的投影的外轮廓与所述电流注入窗口的边缘相对应，以使得所述第二绝缘层可以部分或全部地抵消所述第一绝缘层在所述电流注入窗口的边缘处对所述外延结构产生的应力。通过上述方式，本发明能够减小工艺过程中引入的应力对半导体材料造成的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳瑞波光电子有限公司，未经深圳瑞波光电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010431954.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
