[发明专利]磁随机存取存储器（MRAM）中的磁攻击检测在审
| 申请号： | 202010433315.0 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN112017711A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 尼哈·N·马哈特梅;梅休尔·D·什罗夫 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴晓兵 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路包括具有多个MRAM单元的磁阻RAM(MRAM)阵列以及一组至少一个霍尔传感器电路，所述组中的每个霍尔传感器电路包括用于检测磁场的霍尔传感器。所述集成电路还包括磁处理电路系统，所述磁处理电路系统用于接收来自所述组至少一个霍尔传感器电路的至少一个指示。所述磁处理电路系统包括用于基于来自所述组的所述至少一个指示提供对所述MRAM阵列的可能磁场威胁的指示的输出。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存取存储器 mram 中的 攻击 检测 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司，未经恩智浦美国有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010433315.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
