[发明专利]MXene/ZnMnNi LDH范德华异质结构及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010433672.7 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111599603B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 谈玲华;孙超;戴玉明;朱力;苗琪;张立伟 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/30;H01G11/86 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 张艳 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MXene/ZnMnNi LDH范德华异质结构及其制备方法和应用，该制备方法包括制备方法，步骤一：制备单层ZnMnNi LDH纳米片（F‑ZnMnNi LDH），步骤二：制备单层MXene纳米片（F‑MXene），步骤三:将F‑ZnMnNi LDH和F‑MXene交替堆叠形成F‑MXene/F‑ZnMnNi LDH范德华异质结构。该应用包括用F‑MXene/F‑ZnMnNi LDH范德华异质结构参与制得的电极，以及由该电极制得的超级电容器。本发明F‑MXene/F‑ZnMnNi LDH范德华异质结构展现出优异的电化学性能，提高了电极材料的实际比电容和循环稳定性，使其在超级电容器领域有更好的应用。 | ||
| 搜索关键词： | mxene znmnni ldh 范德华异质 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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