[发明专利]一种双通道开关磁阻电机磁场调制驱动拓扑及其控制方法有效

专利信息
申请号: 202010435650.4 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN111525847B 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 甘醇;高瑞卿;倪锴;俞志跃;曲荣海 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H02P25/092 分类号: H02P25/092;H02P27/08;H02P6/04;H02P21/22
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种双通道开关磁阻电机磁场调制驱动拓扑及其控制方法,包括直流电源、十二开关双通道逆变器、驱动信号发生模块、两台磁场调制开关磁阻电机、位置传感器、电流传感器。驱动信号发生模块用于根据电流与位置传感器采集到的磁场调制开关磁阻电机绕组电流和转子位置,为所述逆变器中的开关管产生驱动信号;所述逆变器与两台磁场调制开关磁阻电机的三相绕组连接,所述逆变器中的开关管根据驱动信号改变开关状态,为所述两台磁场调制开关磁阻电机各相绕组注入带有直流偏置的正弦电流,驱动磁场调制开关磁阻电机运行。相对于传统大量使用开关管的驱动拓扑,本发明减少了开关管的使用数量,大大降低了成本与体积,提高了变换器的功率密度。
搜索关键词: 一种 双通道 开关 磁阻 电机 磁场 调制 驱动 拓扑 及其 控制 方法
【主权项】:
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