[发明专利]用于高通量焦磷酸测序芯片微反应池阵列的制备方法在审
| 申请号： | 202010436352.7 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111562721A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王云翔;李瑾;冒薇;王丰梅 | 申请（专利权）人： | 苏州研材微纳科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/38;G03F7/40;B08B3/12;B08B3/08;G03F7/20;G03F7/30;C12M1/34;C12Q1/6874 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 215121 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于高通量焦磷酸测序芯片微反应池阵列的制备方法，其包括如下步骤：步骤1、对光纤面板进行所需的清洗；步骤2、得到SU8光刻胶膜；步骤3、对上述光纤面板以及SU8光刻胶膜进行热烘，步骤4、对上述SU8光刻胶膜进行曝光；步骤5、对上述光纤面板以及图形化光刻胶膜再次热烘，并在热烘后置于氮气环境中冷却至室温；步骤6、对上述图形化光刻胶膜进行显影，以在光纤面板上得到所需的微反应池阵列。本发明能有效制备得到微反应池，与现有工艺兼容，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通量 磷酸 芯片 反应 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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