[发明专利]坩埚结构与坩埚隔绝层的形成方法在审
| 申请号： | 202010436695.3 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN112122079A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 杨瑜民;林煌伟;王柏凯;许松林;施英汝 | 申请（专利权）人： | 中美硅晶制品股份有限公司 |
| 主分类号： | B05D1/02 | 分类号： | B05D1/02;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种坩埚结构与坩埚隔绝层的形成方法。所述方法包括侧放一圆形坩埚，使圆形坩埚的内部的底面垂直于水平面，再进行数道喷涂工艺，以在圆形坩埚的底面与壁面形成一隔绝层。每一道喷涂工艺包括喷涂一浆料于底面，圆形坩埚的内部具有壁面与底面；将壁面分为数个分区，并使用一光学定位装置在壁面定出与一个分区相同的一喷涂范围；将一个分区对准所述喷涂范围；固定圆形坩埚并喷涂浆料在所述喷涂范围；停止喷涂；旋转圆形坩埚，使另一个分区移至所述喷涂范围内。之后重复上述步骤直到完成所有分区的喷涂。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 结构 隔绝 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中美硅晶制品股份有限公司，未经中美硅晶制品股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010436695.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：供热水装置以及供热水系统
- 下一篇：一种废旧电路板树脂材料回收的方法
