[发明专利]氮化镓单晶衬底的制备方法有效
| 申请号： | 202010437129.4 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111681946B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 卢敬权;庄文荣;孙明 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 523000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓单晶衬底的制备方法，包括：1)提供一氮化镓模板，包括蓝宝石衬底、缓冲层、第一非掺杂或掺杂氮化镓层、超晶格量子阱层及第二非掺杂或掺杂氮化镓层；2)采用氢化物气相外延方法在氮化镓模板上外延生长第一氮化镓层；3)采用激光剥离方法将氮化镓模板中的蓝宝石衬底剥离，获得薄氮化镓单晶衬底；4)采用氢化物气相外延方法在薄氮化镓单晶衬上外延生长第二氮化镓层，获得厚氮化镓单晶衬底；5)将厚氮化镓单晶衬底进行研磨抛光，获得氮化镓单晶衬底。本发明通过设置超晶格量子阱层，可以有效降低氮化镓单晶衬底与蓝宝石衬底之间的晶格失配，有效降低或避免氮化镓单晶衬底的翘曲，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓单晶 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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