[发明专利]一种用于高压SiC MOSFET的电压检测电路在审
| 申请号： | 202010437301.6 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111693755A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 王来利;杨成子;李华清;刘星烁;于龙洋 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R15/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 房鑫 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于高压SiC MOSFET的电压检测电路，包括串联支路及并联支路，其中，串联支路由N个第一电压检测电阻串联而成，并联支路由M个第二电压检测电阻并联而成，并联支路的一端与串联支路相连接，并联支路的另一端接地，该电路满足SiC MOSFET的电压测量，且成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高压 sic mosfet 电压 检测 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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