[发明专利]一种纳米级四氧化三钴的制备方法有效
| 申请号： | 202010438856.2 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111717937B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 张颍;杨昌平;平俊;王瑞龙;肖海波;徐玲芳;胡季帆 | 申请（专利权）人： | 太原科技大学;湖北大学;南京铱方巨人新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉河山金堂专利事务所(普通合伙) 42212 | 代理人： | 胡清堂 |
| 地址： | 030024 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米材料技术领域，公开了一种纳米级四氧化三钴的制备方法，包括以下步骤：通过水热法‑高温煅烧制备出了多孔球形微米级的四氧化三钴颗粒，所述四氧化三钴由许多纳米离子构成，结构脆弱，易破碎；在通过球磨法是微米级的四氧化三钴进一步破碎成纳米颗粒，严格控制球磨溶剂，球的直径以及转速等条件，可以有效避免纳米颗粒的团聚，将四氧化三钴的平均粒径降低至100多纳米；该方法工艺简单，利于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
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