[发明专利]基于碳化硅MOSFET模块的大功率高功率密度变流器及结构在审
| 申请号： | 202010439352.2 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111555652A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 原熙博;李炎;张永磊;张雷;徐一埔;叶飞;李哲;李耀华;王子建 | 申请（专利权）人： | 中国矿业大学 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387;H02M7/493;H02M1/092;H02M1/32;H02M7/00;H05K7/20 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 李悦声 |
| 地址： | 221116 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于碳化硅MOSFET模块的大功率高功率密度变流器及结构，适用于电力电子技术领域。包括五台三相DC/AC变流器、直流汇流母排和交流汇流母排；五台三相DC/AC变流器顺序编号，五台三相DC/AC变流器的直流侧通过两根直流汇流母排与直流电源或电池连接；五台三相DC/AC变流器的交流侧通过三根交流汇流母排与三相电网或三相负载连接。其能够实现直流到交流、交流到直流的能量双向流动。系统整体结构依托碳化硅MOSFET的特性，可实现系统整体的高功率密度设计。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 碳化硅 mosfet 模块 大功率 功率密度 变流器 结构 | ||
【主权项】：
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