[发明专利]基于薄膜衬底的柔性器件的制备方法在审
| 申请号： | 202010439740.0 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111430291A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 王云翔;李瑾;冒薇;王丰梅 | 申请（专利权）人： | 苏州研材微纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 215121 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于薄膜衬底的柔性器件的制备方法。其包括如下步骤：步骤1、在第一辅助支撑体上旋涂得到柔性薄膜第一衬底；步骤2、进行前烘工艺；步骤3、进行固化烘烤工艺；步骤4、旋涂得到柔性薄膜第一光刻胶层；步骤5、得到柔性薄膜第一光刻胶层窗口；步骤6、利用柔性薄膜第一光刻胶层以及柔性薄膜第一光刻胶层窗口制备所需的柔性薄膜第一金属层；步骤7、利用上述的柔性薄膜第一金属层在柔性薄膜第一衬底上形成柔性薄膜第一器件层；步骤8、将上述柔性薄膜第一衬底与第一辅助支撑体分离，形成所需的柔性器件。本发明能有效实现柔性器件的制备，与现有工艺兼容，降低生产成本，适应范围广，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 薄膜 衬底 柔性 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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