[发明专利]一种二维硅酸铁、硅酸钴纳米片的制备方法在审
| 申请号： | 202010439866.8 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111573684A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李晓伟;周浩;王东;耿欣;温广武;张丽娟 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/20 | 分类号： | C01B33/20;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255086 山东省淄*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维硅酸铁、硅酸钴纳米片的制备方法，包括以氨水、硫酸亚铁或硫酸钴、正硅酸乙脂为原料，室温下制备得到硅酸铁或硅酸钴纳米片的步骤。本发明的硅酸铁、硅酸钴纳米片的制备方法，反应温度低，工艺简单，生产效率高，适于大量生产。制备的二维硅酸铁、硅酸钴纳米片材料，其纯度高，稳定性高。在能源、生命、环境等领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 硅酸 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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