[发明专利]沟槽顶角的圆化方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202010440326.1 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN113707553A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 徐若男;赵月梅;冯志明;曾伟雄 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/762;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽顶角的圆化方法及半导体结构，该方法通过回刻蚀紧挨衬底的第一掩膜层使得在形成沟槽过程中沟槽顶部拐角始终处于暴露状态，这样在沟槽刻蚀过程中沟槽的顶部尖角也会同步被圆化，进而即可形成圆滑的沟槽顶角，该方法消除了沟槽顶部的尖角形貌，且在刻蚀沟槽的同时即可形成圆滑的沟槽顶角，无需附加任何单独的圆化操作，整个方法工艺简单，大大降低了生产成本；另外，本发明采用湿法刻蚀对第一掩模层进行回刻蚀，使得整个刻蚀过程更易控制，对回刻蚀的量能更加精确把控，从而使得后续对沟槽顶角的圆化更加简单易控；包括本发明的方法形成沟槽顶角的半导体结构也可有效避免漏电现象，提高击穿电压，保证半导体结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 顶角 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
